Specifiche di base
Tipo di cella solare |
132 celle a mezzo taglio, di tipo N, HJT |
Dimensioni del modulo |
2384 × 1303 × 33 mm/35 mm |
Peso del modulo |
38,5 kg |
Lato anteriore |
Vetro solare rivestito antiriflesso, 2. 0 mm di spessore |
Lato posteriore |
Vetro solare, 2. 0 mm di spessore |
Telaio |
Alluminio anodizzato |
Scatola di giunzione |
3 diodi di bypass, IP68 valutato a IEC 62790 |
McAble |
Cavo pv 4 mm², 0. 3 m di lunghezze (le lunghezze possono essere personalizzate), rispetta EN |
Connettore 50618 |
MC4 EVO2 compatibile |
Diagrammi meccanici
Nota: colore del telaio personalizzato e lunghezza del cavo disponibile su richiesta
Vantaggi del prodotto
1. Tecnologia HJT bifacciale di tipo N Advanced
Sfruttando wafer da 210 mm e progettazione di celle a mezzo taglio, questo pannello combina la tecnologia HJT bifacciale di tipo N per un assorbimento della luce superiore ed efficienza di conversione dell'energia. La configurazione 18BB (Busbar) con cellule a slitta sottile riduce la resistenza interna e migliora la raccolta attuale.
2. Potenza ed efficienza leader di industria
Con una potenza massima di 800 W e l'efficienza del modulo fino al 24,39%, offre una densità di energia senza pari. L'innovativo processo di stampa dello stencil e i nastri in rame rivestiti in argento ottimizzano le prestazioni conduttive, garantendo una perdita di potenza minima.
34,1% di produzione frontale superiore rispetto a TopCon
Grazie alla sua architettura HJT e alla migliore mobilità degli elettroni, questo pannello supera i moduli TOPCON del 4,1% nella generazione di energia sul lato anteriore, rendendolo ideale per le installazioni limitate allo spazio.
4. Durabilità e affidabilità eccezionali
Ingegnerizzato con materiali senza boro per eliminare il degrado indotto da BO (B 0- LID), offre una solida resistenza al letid e al PID. Il basso tasso di degradazione annuale (<0.3%) ensures long-term energy yield stability.
5,95% bifacialità per il massimo raccolto di energia
L'elevata bifaccialità consente al pannello di generare fino al 95% della sua uscita sul lato anteriore dalla luce riflessa sul lato posteriore, aumentando significativamente la produzione di energia totale nei sistemi montati sul terreno e di monitoraggio.
Parametri elettrici su STC
Modello |
Jam132d -770 |
Jam132d -775 |
Jam132d -780 |
Jam132d -785 |
Jam132d -790 |
Jam132d -795 |
Jam132d -800 |
Power Tollerance (0 ~ +5 w) |
STC |
STC |
STC |
STC |
STC |
STC |
STC |
PMax |
770W |
775W |
780W |
785W |
790W |
795W |
800W |
VMP |
44.10V |
44.25V |
44.40V |
44.55V |
44.71V |
44.87V |
45.02V |
Diavoletto |
17.47A |
17.52A |
17.57A |
17.62A |
17.67A |
17.72A |
17.77A |
Voc |
51.72V |
51.82V |
51.92V |
52.02V |
52.12V |
52.22V |
52.32V |
ISC |
18.09A |
18.12A |
18.16A |
18.21A |
18.27A |
18.33A |
18.40A |
Efficienza del pannello |
24.13% |
24.19% |
24.23% |
24.27% |
24.31% |
24.35% |
24.39% |
STC (condizioni di prova standard): irradianza 1000 W/㎡, temperatura cellulare 25 gradi, massa dell'aria 1,5.
Parametri elettrici su BSTC
Modello |
Jam132d -770 |
Jam132d -775 |
Jam132d -780 |
Jam132d -785 |
Jam132d -790 |
Jam132d -795 |
Jam132d -800 |
Power Tollerance (0 ~ +5 w) |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
BSTC |
PMax |
810W |
815W |
820W |
825W |
830W |
835W |
840W |
VMP |
42.59V |
42.74V |
42.89V |
43.04V |
43.19V |
43.34V |
43.49V |
Diavoletto |
18.31A |
18.67A |
18.71A |
18.74A |
18.77A |
18.81A |
18.85A |
Voc |
50.84V |
51.41V |
51.46V |
51.51V |
51.55V |
51.59V |
51.64V |
ISC |
19.27A |
19.86A |
19.89A |
19.92A |
19.96A |
19.99A |
20.04A |
BSTC (condizioni di prova standard bifacciale): irradiazione del lato anteriore 1000 W/㎡, Irradiazione della riflessione sul lato posteriore 135 W/㎡, massa d'aria 1,5, temperatura ambiente 25 gradi.
Processo di produzione del pannello solare da 800 W
1. Preparazione del wafer di silicio
Selezione del materiale: utilizza wafer di silicio monocristallini di tipo N da 210 mm (contenuto di boro-ossigeno basso) per eliminare la degradazione indotta da BO (B 0- coperchio).
Tecocurzia di superficie: incisione per creare una superficie micro-rugosa per un miglioramento dell'assorbimento della luce.
2. produzione di cellule HJT
Deposizione di strati non Si:
Strati A-Si: deposizione di silicio amorfo idrogenato (A-Si: H) su entrambi i lati del wafer tramite deposizione di vapore chimico potenziato dal plasma (PECVD). Ciò costituisce la struttura eterojunzione per un'efficace separazione della carica.
Rivestimento TCO: strati trasparenti di ossido conduttivo (TCO) (ad es. ITO o ZnO) applicati sputtering per ridurre la ricombinazione superficiale e migliorare la conducibilità.
Metallizzazione:
Stampa di schermate: stampa di stencil di pasta di rame rivestita in argento per elettrodi sul lato frontale (barre di buste da 18 bb) per ridurre al minimo la resistenza e migliorare la raccolta di corrente.
Contatti sul retro: ablazione laser e placcatura di metallo per contatti posteriori.
3. Elaborazione delle cellule a metà taglio
COLLO LASER: i wafer sono divisi in mezze cellule per ridurre la resistenza interna e migliorare la tolleranza all'ombreggiatura.
Interconnessione: sottili nastri in rame con rivestimento in argento collegano le mezze cellule in serie/parallele, usando la saldatura o l'adesivo conduttivo.
4. Assemblaggio del modulo
Laminazione:
Impilamento degli strati: le cellule sono inserite tra vetro anteriore, incapsulante EVA e foglio di fondo (o vetro doppio per bifacialità).
Laminazione a vuoto: pressatura ad alta temperatura (140-150 gradi) si lega strati insieme, garantendo la tenuta ermetica.
Fantasca e giunzione: cornici in alluminio e scatole di giunzione con diodi di bypass vengono aggiunti per il supporto meccanico e i collegamenti elettrici.
Test e controllo di qualità
Test elettrici: misurazioni della curva IV per verificare l'uscita di potenza (fino a 800 W), l'efficienza (24,39%) e la bifaccialità (95%).
Test di affidabilità:
Ciclismo termico: invecchiamento accelerato per simulare gli estremi della temperatura.
Test di congelamento dell'umidità: esposizione ad alta umidità e condizioni di congelamento.
Resistenza UV: esposizione alla luce UV per valutare il degrado.
Convalida anti-PID/Letid: test in alta tensione e stress termico per confermare la resistenza alla degradazione indotta dal potenziale e alla degradazione indotta dalla luce.
5. Key Vantaggi integrati nel processo
Processo a bassa temperatura: HJT's<200°C manufacturing avoids thermal stress on silicon, reducing defects.
Ribbonti di rame rivestiti in argento: soluzione economica e ad alta conduttività per elettrodi.
Design a doppio vetro: migliora la durata e la cattura della luce bifacciale.
Questo processo integrato garantisce che il modulo fornisca una resa elevata di energia, affidabilità a lungo termine e prestazioni superiori rispetto alle tecnologie TopCon o Perc.
Soluzione logistica del trasporto solare Jingsun 800W Modulo solare
Jingsun ha creato un sistema logistico intelligente globale per soddisfare le esigenze di trasporto di moduli solari da 800 W, combinando la tecnologia di imballaggio avanzata e la gestione della catena di approvvigionamento per garantire che i prodotti vengano consegnati ai clienti in modo sicuro, in modo efficiente e sostenibile.
1. Rete di trasporto globale e trasporto multimodale
Pianifica dinamicamente il percorso ottimale in base all'algoritmo di intelligenza artificiale per ridurre il numero di trasferimenti e rischi di trasporto.
2. Imballaggi intelligenti e protezione della sicurezza
Adotta il rivestimento riciclabile a nido d'ape + fodera in schiuma EPE, con strisce di rinforzo dei bordi, pass test di trasporto internazionale ISTA 3E per garantire che i moduli siano intatti durante la caduta e le vibrazioni.
3. Servizio personalizzato
Fornire il trasporto di container a temperatura controllata per alta quota e aree estremamente fredde/calde.
Fornire assistenza allo scarico e supporto di installazione presso il sito del progetto della stazione di alimentazione fotovoltaica.
Pagamento flessibile: supporto CIF, FOB, EXW e altri termini commerciali per soddisfare le esigenze di diversi clienti.
Domande frequenti
D: Quali sono i parametri delle prestazioni chiave del pannello solare da 800 W di Jingsun?
D: In che modo la tecnologia HJT di Jingsun si confronta con TopCon?
D: Qual è l'affidabilità e il tasso di degrado a lungo termine del pannello?
D: Il pannello da 800 W è adatto per le installazioni del tetto residenziale?
D: Quale garanzia e supporto post-vendita fornisce Jingsun?
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